联发科和台积电近日宣布，联发科首款采用台积电3纳米工艺的天玑旗舰芯片开发进展顺利，已成功完成流片。联发科表示，这款3纳米新旗舰预计明年投入量产，并将于明年下半年上市。而即将在今年下半年发布的天玑9300将仍然采用台积电4纳米工艺，因此推测这款3纳米新旗舰可能是下一代的“天玑9400”。 台积电的3纳米工艺是全新一代的制程工艺，能够为高性能计算和移动应用提供完整的平台支持，同时具有更强的性能、功耗和良率表现。根据官方数据，相较于5纳米工艺，3纳米工艺可以将芯片逻辑密度增加约60%，在相同功耗下性能提升18%，或者在相同性能下功耗降低32%。 此外，苹果A17也将采用台积电的3纳米工艺。至于高通骁龙8 Gen4的制程工艺，目前说法不一，有的称台积电和三星将共同代工，有的则认为全部由三星代工。
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