根据最新消息，三星电子内存业务负责人Lee Jung-Bae近日表示，三星已成功生产基于其第九代V-NAND闪存产品的运行芯片，并计划在明年初实现量产。同时，三星还正在开发行业内领先的11纳米级DRAM芯片。
负责人士进一步指出，对于DRAM产品，三星正在研发3D堆叠结构和新材料；而对于NAND闪存产品，公司正通过增加堆叠层数、降低高度来实现半导体行业最小的单元尺寸。这一计划的实施有望使三星在进度上超越SK海力士。此前，SK海力士曾宣布将在2025年开始量产321层NAND芯片。
预计三星的第9代NAND闪存芯片仍将继续采用双堆叠技术。具体而言，在两个独立的过程中创建NAND存储器，然后进行组装。而与之不同的是，SK海力士的300层NAND产品采用了三重堆叠技术。每组分别堆叠120层、110层和91层，最终组合成一个芯片。
业内人士认为，双堆叠工艺在生产成本和效率方面具有一定优势。因此，三星希望通过这种成本优势来超越竞争对手，并巩固其市场领先地位。去年，在三星技术日上，三星表示将在2030年实现堆叠多达1000层的技术。
然而，如果不采用三重堆叠工艺，要实现超过400层的堆叠将面临巨大挑战。因此，有观点指出，随着第10代430层产品推出时可能会开始采用三重堆叠技术。
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