三星正加紧开发第五代HBM3e“Shinebolt”，据初步测试显示，“Shinebolt”的最大数据传输速度将比上一代有所提升，预计将达到1.228TB/s，比SK海力士的HBM3e（最大数据传输速度为1.15TB/s）更快。此外，“Shinebolt”还采用了最新的12层垂直堆叠方案，能够在单个HBM3e封装上实现高达36GB的容量，而原型版本使用的8层堆叠方案仅实现了24GB的容量。
HBM（High Bandwidth Memory）属于高附加值、高性能产品的垂直连接多个DRAM产品，它以HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的顺序开发。目前来看，人工智能时代的新一代DRAM就是HBM。
三星目前正在加快开发的第五代HBM3e“Shinebolt”的最大数据传输速度预计将达到1.228TB/s，比SK海力士的HBM3e更快。同时，“Shinebolt”还采用了最新的12层垂直堆叠方案，在单个HBM3e封装上实现高达36GB的容量。这些特性使得“Shinebolt”成为了一款备受期待的高性能产品。
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