SK海力士近日宣布了全球首家321层堆叠的NAND闪存，这一突破使得三星开始感受到了压力。原本三星规划于2024年量产的第9代V-NAND闪存只有约280层，而第10代则有望突破到430层以上。然而，三星电子存储业务总裁李荣培表示，第9代V-NAND闪存的进展顺利，并将于明年初开始量产。该产品基于双堆栈架构，将实现业界最高级别的堆叠层数。
虽然李荣培并未披露具体的层数，但据此前消息透露，第9代闪存将会超过300层以上。因此，在近期市场上能够看到一个全新的闪存产品问世，并且是否能超过SK海力士的321层目前还不好说。
这种情况表明，三星正全力以赴地为第9代闪存产品注入资金和资源。可以预见的是，在未来几年内，随着技术的发展和创新的推进，闪存行业将会迎来更多重大的突破与进展。
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