稍早前，台积电CEO魏哲家公开表示，台积电将在今年内风险投产3nm N3工艺，并在2022年下半年投入大规模量产，2023年一季度将会获得实际收入。而台积电的2nm N2工艺则在2025年量产，并强调无论集成密度还是性能都是业内最好的，此前台积电表示该工艺考虑使用GAAFET(环绕栅极场效应晶体管)。
据称，台积电的3nm N3工艺是5nm N5工艺之后的全新节点。台积电表示3nm N3的经过密度可增加70％，同等功耗下性能可提升10-15％，同等性能下功耗可降低25-30％，但是整体更加复杂，整个工艺流程的工序超过1000道。
而台积电的一大竞争对手，三星在此前已经宣布，2022年初量产3nm 3GAE低功耗版，次年初量产3nm 3GAP高性能版，而2nm 2GAP工艺则将在2025年量产。
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