由于对商品存储器的需求迅速恶化和价格下跌，美光公司正在削减3D NAND和DRAM的晶圆开工量，与上一季度相比立即减少20%。该公司现在预计其3D NAND比特产出在下一个日历年增长不明显，而其DRAM比特产出将在2023年减少。

为了应对3D NAND和DRAM内存需求的放缓，美光公司将比2022财年第四季度（截至2022年9月1日）减少约20%的晶圆启动。削减将在美光用于大批量生产的所有技术节点上进行，因此基本上该公司正在削减其几乎所有类型产品的产量。

美光正在进行的2023财年第一季度在12月初结束，所以今天削减晶圆的开工率对该公司该季度的业绩或市场几乎不会产生有意义的影响。由于3D NAND和DRAM的生产和测试/包装周期都相当长，市场将在几周后感受到美光削减的影响。同时，现货价格可能会更早地对美光的公告做出反应。

但目前的晶圆开工削减将对该公司整个2023财年的产出产生影响，因为美光预计其DRAM位产出将下降，而3D NAND位产出将在'个位数百分比范围内增长。

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美光今年夏天启动了232层3D NAND存储器的生产，今天早些时候开始在其1β（1-beta）制造工艺上制造LPDDR5X存储器。这两个新的生产节点将使美光减少成本并提高比特产出，但该公司在9月底警告说，它将减缓232层3D NAND和1β DRAM的生产速度，以限制比特产出。美光的232层3D NAND器件具有2400MT/s的接口，将实现PCIe 5.0 x4接口的最快固态硬盘，其12.4GB/s的连续读取速度将超过目前的最佳固态硬盘。

美光公司还在9月披露，其2023财年的资本支出总额约为80亿美元，比2022财年下降30%。削减主要涉及采购新的晶圆厂设备，这将放缓该公司最新制造技术的采用。由于该公司正在建设其在爱达荷州的新工厂，该公司的建筑资本支出预计将增加一倍以上。今天，该公司说它正在 "努力实现额外的资本支出削减"，但没有详细说明。

"美光公司正在采取大胆和积极的措施，减少比特供应的增长，以限制我们的库存规模，"美光公司首席执行官Sanjay Mehrotra说。"我们将继续监测行业状况，并根据需要做出进一步调整。尽管有近期的周期性挑战，我们对我们市场的世俗需求驱动力仍有信心，从长远来看，预计内存和存储收入的增长将超过半导体行业的其他部分。"