据UDN报道，英特尔已经完成了英特尔18A（1.8纳米级）和英特尔20A（2纳米级）制造工艺的开发，这些工艺将用于制造公司自己的产品，以及为其英特尔代工服务（IFS）部门的客户制造芯片。

英特尔一次活动中说，该公司已经完成了英特尔18A（18埃级）和英特尔20A（20埃级）制造工艺的开发。这并不意味着生产节点已经准备好用于商业制造，而是意味着英特尔已经确定了这两种技术的所有规格、材料、要求和性能目标。

英特尔的20A制造技术将依靠全栅极RibbonFET晶体管，并将使用背面电力输送。缩小金属间距，引入全新的晶体管结构，并同时增加背面功率传输是一个冒险的举动，但预计20A将使英特尔跨越该公司的竞争对手--台积电和三星代工。英特尔计划在2024年上半年开始使用这一节点。

英特尔的18A制造工艺将进一步完善该公司的RibbonFET和PowerVia技术，并缩小晶体管尺寸。这一节点的开发显然进展顺利，以至于英特尔将其引入时间从2025年推迟到2024年下半年。英特尔原本计划在其1.8埃节点上使用ASML公司的Twinscan EXE扫描仪，其光学数值孔径（NA）为0.55，但由于它决定更早开始使用该技术，它将不得不广泛使用现有的Twinscan NXE扫描仪，其光学数值孔径为0.33，以及EUV双图案。

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该公司本身预计其1.8纳米级制造技术在2024年下半年进入大批量制造（HVM）时将成为业界最先进的节点。

英特尔的20A和18A制造技术正在为该公司自己的产品以及IFS为其代工客户生产的芯片而开发。

"英特尔首席执行官Pat Gelsinger在最近与分析师和投资者的电话会议上说："我们与10个最大的代工客户中的7个有活跃的合作关系，加上持续的管道增长，包括43个潜在客户和生态系统合作伙伴的测试芯片。"此外，我们继续在英特尔18A上取得进展，已经与我们的主要客户分享了PDK 0.5（工艺设计套件）的工程发布，并预计在未来几周内有最终的生产发布。"