SK海力士宣布了其HBM3内存的增强版，将数据传输率提高了25%，因此为使用这种优质类型DRAM的应用提供了相当大的性能提升。为人工智能（AI）和高性能计算（HPC）开发解决方案的公司将欢迎HBM3E在2024年上市。

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SK海力士的HBM3E内存将把数据传输率从今天的6.40 GT/s提高到8.0 GT/s，这将使每堆带宽从819.2 GB/s提高到1 TB/s。HBM3E与现有HBM3控制器和接口的兼容性仍不清楚，因为SK海力士还没有透露这方面的技术细节。

SK Hynix计划在2023年下半年开始对其HBM3E存储器进行采样，并在2024年开始大规模生产。该公司将使用其1b纳米制造技术（该公司第五代10纳米级的DRAM节点）来生产其HBM3E存储器。该生产节点目前用于制造DDR5-6400 DRAM，这些DRAM被验证用于英特尔的下一代至强可扩展平台。最终，它还将用于生产LPDDR5T内存芯片，用于性能要求高的低功耗应用。

"在人们对内存市场将从下半年开始复苏的期望越来越高的情况下，我们相信我们业界领先的DRAM技术，通过这次1bnm工艺的大规模生产再次得到验证，将帮助我们从下半年开始提高收益，"SK海力士的DRAM开发主管Jonghwan Kim说。

假设SK海力士的HBM3E内存开发和量产取得预期进展，SK海力士将拥有一份渴望采购快速HBM3E内存的买家名单，用于他们的下一代AI和HPC解决方案。同时，根据TrendForce的数据，SK海力士已经是最大的HBM供应商，如果它成为优质HBM3E内存的第一个供应商，将可能加强其地位。