据ETNews报道，为了提高新一代NAND闪存的竞争力，三星电子将在2024年升级其NAND核心设备供应链，也就是其平泽P1工厂。未来大部分产线将从V6 NAND改为生产更先进的V8 NAND。此举一方面是变相减产以削减过高的V6 NAND库存，另一方面也是为V8 NAND未来的产能扩展做准备。 报道称，为了明年彻底改变NAND核心设备供应链，各大NAND生产基地都在积极进行设备运行测试。此前，外媒曾报道称，三星电子的半导体产品库存今年上半年都有一定程度的增加。在上半年结束时，该公司旗下设备解决方案部门的库存已增至33.69万亿韩元，高于去年年底时的29.06万亿韩元。 在今年第二季度的财报电话会议上，三星电子高管表示，该公司计划下半年继续削减存储芯片的产量，尤其是NAND闪存的产量，以加速库存正常化。上周，业界消息人士称，为了减少NAND库存，该公司将实施大规模减产，目标是到今年年底将库存降至正常水平，即6-8周。 今年8月21日，业内人士透露，三星电子正在将日本东京电子（TEL）的最新设备引入其位于平泽园区的第三工厂（P3）的NAND生产线。该公司此次采购的TEL设备是用于整个半导体工艺的蚀刻设备。
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