近日，日本最大的半导体晶圆制造商信越化学工业和从事ATM及通信设备的OKI公司宣布，他们成功开发出了一种以低成本制造氮化镓（GaN）功率半导体材料的技术。据悉，这项技术可以使制造成本降至传统制法的十分之一以下。如果能够实现量产，将有利于普及快速充电器等设备。 据了解，信越化学工业和OKI开发的新技术可以在特有的QST基板上喷镓系气体，使晶体生长。信越化学工业的增厚晶体技术与OKI的接合技术相结合，从基板上只揭下晶体。晶体放在其他基板上作为功率半导体的晶圆使用。 信越化学工业表示，GaN基板上使GaN晶体生长的制法不仅制造耗费时间，成品率还很差，成本高。新制法可以高效制造晶体，可以降低9成成本。与在矽基板上使GaN晶体生长的制法相比，不需要基板与晶体之间的绝缘层。加上晶体的厚膜化，可以通20倍大的电流。 信越化学工业透露，这一技术可以制造6英寸晶圆，希望在2025年增大到8英寸，今后还考虑向半导体厂商销售技术等业务模式。
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