光刻机龙头ASML近日宣布，将在今年底推出第一台支持高数值孔径（NA）的极紫外光刻机（EUV），型号为“Twinscan EXE:5000”。NA数值孔径是光刻机光学系统的重要指标，直接决定了光刻的实际分辨率，以及最高能达到的工艺节点。 ASML现有最先进的EUV光刻机是NEX:3400C、NEX:3400D，NA只有0.33，对应的分辨率为13nm，可以生产金属间距在38-33nm之间的芯片。然而，当金属间距缩小到30nm以下，也就是对应的工艺节点超越5nm时，这样的分辨率就不够了，只能使用EUV双重曝光和/或曝光成形（pattern shaping）技术来辅助，这会大大增加成本，还会降低良品率。 因此，更高的NA成为必需。新一代EXE:5000就能做到0.55 NA，光刻分辨率也将缩小到8nm。EXE:5000有点像是实验平台，供芯片制造厂学习如何使用高NA EUV技术。预计2025年发货的下一代EXE:5200，才能支持大规模量产。 Intel最初计划在其18A（1.8nm）工艺节点使用ASML的高NA EUV光刻机，2025年量产，但后来提前到了2024年下半年，等不及ASML的新机器。于是，Intel就改用0.33 NA NXE:3600D/3800E，叠加双重曝光来实现18A工艺，同时使用应用材料的Endura Sculpta的曝光成形系统来尽可能减少双重曝光的使用。 尽管如此，Intel依然会是高NA EUV光刻机的第一家客户，可能会在18A节点的后期引入它。台积电、三星都计划在2025年晚些时候投产2nm工艺，或许也会用上高NA EUV光刻机。至于这种先进光刻机的价格，没有官方数据，不同报告估计在单台成本就要3-4亿美元，相当于人民币22-29亿元。