台积电加速推进2nm技术
据报道，台积电正在加速迈向2nm技术。其位于新竹宝山的工厂预计于2024年第二季度开始安装设备，并计划在2025年第四季度量产。初期生产规模预计约为每月3万片晶圆。
与此同时，台积电的高雄工厂也正在积极准备应对2nm技术的挑战。预计该工厂将会在1年后采用背面供电技术，以实现N2P（2nm加强版）工艺的量产。
关于台积电在2nm工艺上采用背面电源轨解决方案的计划，该公司表示，在保持性能提高10%至12%的同时，逻辑面积可减少10%至15%。该公司计划于2025年下半年向客户交付背面电源轨样品，并希望在2026年开始大规模量产。
值得注意的是，三星公司此前公布的半导体规划显示，他们计划于2025年开始大规模量产2nm芯片，并计划于2027年推出1.4nm芯片；而英特尔方面则预估他们在2024年上半年将采用GAA（ Gate All Around）技术 RibbonFET 电晶体架构的20A处理器，并希望在2025年之前推出18A处理器。
综上所述，随着台积电和三星等公司不断推进新技术研发与应用，我们可以期待未来芯片制造领域将迎来更多令人惊叹的技术创新和突破。
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