近日，东京威力科创/东京电子公司成功开发出能够生产400层3D NAND闪存的设备。据悉，这种技术可以为公司带来数十亿美元的净收入。目前，生产3D NAND所需的主要设备主要由美国的泛林集团控制。
今年6月，东京电子首次将电蚀刻应用带入到低温范围，并创造了具有极高蚀刻速率的系统。该公司希望凭借这项新技术挑战泛林集团，并与现有方法相比，新蚀刻方法至少将生产率提高了2.5倍。同时，该公司表示这种技术对环境的影响非常小。
据预估，在客户安装调试完成后，未来2-3年内即可开始生产400层3D NAND存储器。到2027年时，该领域产能将比今年翻两番达到20亿美元。
根据上一财年的销售数据来看，东京电子销售的蚀刻设备价值不超过39亿美元（约占总销售额的四分之一）。预计随着新技术的帮助，该公司核心销售额至少将增加一倍。去年，半导体行业蚀刻系统市场销售额达到了200亿美元，其中东京电子以25%的份额位居第二位，而排名第一的是占据半壁江山的美国Lam Research公司。
值得注意的是，在过去五年中，东京电子的研发支出增加了77%，预计今年的研发支出将达到创纪录的13.4亿美元（约97.95亿元人民币）。
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