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性能提升30% 三星3nm GAA性能路线公开

2021-10-09 15:00:28 来源:天空软件网 我要评论()

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近日举办的三星代工论坛2021大会上,三星披露了最新工艺进展和路线图。FinFET 晶体管结构的潜力几乎已被挖掘。三星下一步就是用GAA环绕栅极,其中 3nm工艺有两个版本,3GAE(低功耗版)将于2022年初量产。3GAP(高性能版)将于2023年初量产。

性能提升30% 三星2nm工艺性能首度公开
三星工艺进展和路线图(图片源自新浪微博@科技芯时空)

与5nm相比,三星新的3nm GAA可减少面积35%,同等功耗下性能提升30%,同等性能下功耗降低50%。

同时,三星首次披露2nm:2025年量产2nm工艺并未出现在公开路线图上,但三星代工市场战略高级副总裁MoonSoo Kang透露2GAP工艺将于2025年量产。这是三星首次公开其2nm工艺计划,但三星也警告称,新工艺的进展将取决于客户的规划和部署。

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