据了解，台积电和三星今年将大规模量产3纳米工艺，两家公司该预计2025年将扩大至2纳米工艺的生产。这对于极紫外（EUV）光刻工艺的需求更为强烈。同时，ASML也将在今年年底出货新版极紫外光刻机NXE:3800E，这项新技术被认为是实现2纳米工艺关键的因素。 ASML是全球唯一一家能够量产EUV光刻机的企业，并且已经在此领域进行了多次迭代，主要目标在于提高效能和生产能力。目前，该公司最新的光刻机型号为NXE:3600D，而计划在年底出货的NXE:3800E则有望进一步降低EUV光刻的成本。新型NXE:3800E光刻机的曝光能力将达到30mJ/平方厘米，每小时产能大约为195片晶圆，预计未来还将提高至220片/小时，该产能比目前的型号提高了超过30%。 至于售价，NXE:3800E的具体价格尚无定论，但上一代EUV光刻机的售价已经超过150亿美元。加上近两年的通胀等因素，新型号光刻机的价格预计将从10亿美元起步。未来，更高规格的高数值孔径极紫外光刻机更为昂贵，价格将轻松突破25至30亿美元。 考虑到安装、调试以及生产周期，台积电和三星很可能将在2纳米节点上主要使用今年底交付的NXE:3800E光刻机。而下一代高数值孔径的光刻机将面临的挑战则是1纳米及以下工艺的实现。
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