作为全球NAND闪存市场的一哥，三星在3D闪存上又要领先其他厂商了，日前在三星技术论坛上，三星公布了第八代V-NAND的细节，堆栈层数超过200层，容量可达1Tbit，512GB容量的厚度也只有0.8mm，可用于手机。
三星的V-NAND闪存现在演员发展到了第七代V-NAND V7，堆栈层数176层，TLC版核心容量512Gbit，而即将推出的V-NAND V8层数将超过200——三星没提到具体多少层，但之前的报道中指出是228层，提升30%左右，存储密度提升了40%左右。
V-NAND V8闪存的单颗核心容量也从之前的512Gbit翻倍到了1Tbit，同时性能也更强，IO接口速率从2Gbps提升到了2.4Gbps，性能更适配最新的PCIe 5.0标准。
得益于存储容量更大. V-NAND V8闪存的厚度依然可以控制在合理水平，封装512GB容量也不超过0.8mm，可以用于新一代智能手机。
在未来，三星的V-NAND闪存堆栈层数还会进一步提升，路线图中的目标是超过500层，这被视为3D闪存的极限，不过三星还在想法突破，最终能制造1000层堆栈的3D闪存。
三星980 PRO NVMe M.2（1TB） TLC闪存架构，NVMe M.2接口，Elpis控制器
赠
进入购买
孟晚舟回国，今夜将到达深圳市，乘飞机写出文章感语
又一电脑操作系统，华为公司全新升级公布欧拉
全民飞机大战每日一题答案大全
动态壁纸：换个会动的壁纸你不心动吗？
海量福利送不停 《梦幻花园》新关卡开放
三国杀吴国什么时候灭亡?
QQ飞车手游怎么快速刷金币 QQ飞车手游免root辅助刷金币攻略
百分百还原小说IP《莽荒纪2018》宗门PK开战
万能驱动助理
易我数据恢复
电脑系统重装
WPS Office
有道词典
极速压缩
压缩软件
几何画板mac版
腾讯手游助手
蓝叠模拟器
Google 
爱奇艺轮播台
虎牙直播助手
酷我音乐
芒果TV
QQ音乐
变声软件
暴风影音
Logo设计
思维导图