美光公司今天宣布，它正在运送232层TLC NAND，以最高的层数在行业中占据领先地位。新的NAND闪存具有业界最高的密度，在单个NAND芯片封装中实现了高达2TB的存储。与上一代产品相比，美光在提高容量的同时，每块芯片的写入速度提高了100%，读取性能提高了75%以上，这也标志着性能方面的飞跃发展。美光已经在未指定的零售Crucial SSD中运送这种闪存，并作为NAND组件提供给其他制造商。

正如你在下面的幻灯片中看到的那样，存储密度的提高使美光公司的整体封装比上一代闪存缩小了28%，这对于像智能手机和MicroSD卡这样的小型设备来说是非常方便的。每个2TB的芯片包比美国邮票小三倍，尺寸为令人难以置信的11.5 x 13.5毫米。美光指出，你可以在一个2TB的芯片包中存储340小时的4K视频。

美光的232层（232L）比该公司上一代的176L闪存有了很好的提升，但它在层数上也超过了竞争对手。然而，密度才是更重要的指标。美光的TLC闪存，被亲切地命名为B58R，将1Tb的存储空间装入一个小芯片。16个芯片可以装入一个封装中，在一个芯片封装中可以达到2TB。

闪存密度相当于每平方毫米14.6Gb的存储量，美光宣称这比目前正在出货的竞争性TLC闪存领先30%到100%（我们正在跟进以明确这一说法）。这意味着美光的每个芯片应该大约是69mm^2。和以前一样，美光使用其阵列下的CMOS（CuA）技术，现在是第六代，通过在数据存储阵列下堆叠CMOS来提高密度。美光还采用了双堆栈闪存设计，这意味着每个成品芯片由两个116层的芯片组成，在一个称为串堆栈的过程中粘合在一起。美光公司还指出，创建高长宽比孔的先进工艺和材料的进步是提高密度的原因。

当美光开始生产其QLC变体时，我们将看到更高的密度，但该公司还没有分享细节。

美光公司还吹嘘说，由于其新的六平面架构，性能有了令人印象深刻的改善--这是业界首次推出TLC NAND。一个平面是闪存芯片的一个区域，它可以独立地响应I/O请求，就像CPU中的核心可以并行地完成操作。如果设计得当，更多的平面就等于更多的性能。

美光公司从4个平面转向6个平面，再加上其在ONFI 5.0接口上增加了50%的2.4GB/s，以提供更多的芯片带宽，这有助于美光公司声称比其上一代176层NAND的写入带宽高100%，读取带宽高75%以上。当然，这并不意味着我们会看到固态硬盘的速度突然比现有硬盘快一倍--其他瓶颈仍然存在，如控制器和接口--但它确实为更快的设备铺平了道路，因为生态系统的其他部分正在赶上新闪存的速度。

美光表示，由于内部路径上的I/O "碰撞 "减少，额外的平面也带来了服务质量和读/写延迟的改善，但该公司还没有分享读和写延迟指标。232L闪存现在支持低电压NV-LPPDR4接口，与上一代接口相比，每比特能耗降低了30%。美光公司宣称，这一代的能源效率提高了，但还没有分享确切的指标。我们被告知我们将在未来了解更多。

美光公司也没有分享耐力指标，但它预计其232L TLC通常与上一代闪存的耐力阈值相同。需要提醒的是，耐用性是以编程/擦除（P/E）周期来评定的。从这个角度看，美光前一代TLC通常在消费级固态硬盘的1,000至3,000个P/E周期范围内，企业级固态硬盘的5,000至10,000周期。当然，这受到所采用的纠错代码（ECC）类型的影响，但我们可以预期232L TLC的范围类似。

美光的232L TLC闪存已经作为NAND芯片和未指定的面向零售的Crucial SSD出货给其OEM客户。美光公司仍处于产量提升的早期阶段，但表示它将在整个2022年提升产量。我们将看到这种技术的其他版本，如QLC变体，在不久的将来也会出现。