美光公司周四表示，它将在公司所在地爱达荷州的博伊西附近建造一座全新的尖端内存工厂。该工厂将花费美光150亿美元，并将在本世纪末投入使用。

新的美光存储器工厂将位于该市总部附近的公司主要研发中心附近，预计这将提高运营效率，加速技术部署并改善上市时间。事实上，这个新工厂将是世界上少数几个位于主要研发中心附近的半导体生产设施之一。美光拥有的另一个类似的基地--同时拥有研发和大批量的生产业务--位于日本广岛附近。

美光公司将为新的生产设施投资150亿美元，它还预计将获得由《芯片和科学法案》以及爱达荷州提供的激励措施所带来的联邦拨款和信贷。也就是说，该工厂的总成本将高于150亿美元。

美光称其新项目为 "领先的内存制造厂"，但没有透露它将生产哪种类型的内存。同时，它说它将雇用2000名工人，并将在十年期结束前投入运营，如果该公司在2023年初开始建设，这可能意味着2026年，如果建设开始得晚，则意味着2029年。在任何情况下，一个旨在在未来10年左右的时间里制造内存的DRAM生产设施注定要为极紫外光刻（EUV）工具做好准备。

美光没有透露它计划在其新工厂生产DRAM设备的3D NAND存储器。3D NAND的大批量生产需要更多的化学气相沉积（CVD）和蚀刻机，而DRAM需要更多的光刻工具，因此不同种类的内存需要不同的洁净室配置。近年来，三星和SK海力士建立的工厂可以从3D NAND重新配置为DRAM，反之亦然，但我们不知道美光是否如此。

目前，美光在全球有五家晶圆制造厂：两家位于新加坡的3D NAND工厂，一家位于日本广岛附近的DRAM工厂，以及两家位于台湾的DRAM工厂（台中附近和桃园附近）。

美光在爱达荷州博伊西的工厂投资150亿美元，是该公司计划到本世纪末在美国投资400亿美元用于前沿内存制造的一部分。如果该公司能够在美国的新工厂投资这么多钱，那么大约十年后，美光的半导体（如3D NAND或DRAM设备）的大部分（或至少是非常重要的一部分）将在美国制造。